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技術(shù)文章

TECHNICAL ARTICLES

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  • 202011-10
    您對真空氣氛燒結(jié)爐了解多少?知道它采用什么原理嗎?

    真空氣氛燒結(jié)爐用于特種陶瓷,精密陶瓷,熒光粉,發(fā)光粉,粉末冶金,鋰電池材料等,無機材料的燒結(jié),高溫?zé)Y(jié)爐廣泛應(yīng)用于1050度以下電子產(chǎn)品在保護(hù)氣氛或空氣中的預(yù)燒、燒成或熱處理工藝,包括導(dǎo)體漿料、電阻漿料及介質(zhì)等厚膜電路,電阻、電容、電感等電子元件的端頭燒銀、燒成,電路管殼、晶振等元件的玻璃緣子封裝等。燒結(jié)爐在鋼鐵行業(yè)、冶金行業(yè)、電子行業(yè)等都有廣泛應(yīng)用。燒結(jié)爐主要用于陶瓷粉體、陶瓷插芯和其他氧化鋯陶瓷的燒結(jié),金剛石鋸片的燒結(jié),也可用于銅材,鋼帶退火等熱處理。也用于金屬粉末在保護(hù)...

  • 202011-10
    第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

    碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結(jié)合而成的化合物,其基本單元為Si-C四面體,其中Si原子位于中心,周圍為C原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種,其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC(4H-SiC)具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢,是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料,它具有:(1)臨界擊穿電場強度是硅材料近1...

  • 202011-9
    ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

    20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法,它是指在一定氣氛和溫度條件下對ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié),通過對燒結(jié)過程中各因素的控制,來有效控制ITO素坯晶粒的生長,從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化,該方法對粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大,濺射到平板上的拼縫就越少,價值也越高。國外可以做寬1200毫米、長近3000毫米的單塊靶材,國內(nèi)只能制造不超過800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中,將粒...

  • 202011-5
    等離子增強化學(xué)氣相沉積爐主要包含以下三個基本過程

    等離子增強化學(xué)氣相沉積爐(PECVD)技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時,薄膜的生長主要包含以下三個基本過程:首先,在非平衡等離子體中,電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級反應(yīng),使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團(tuán)的混合物;其二,各種活性基團(tuán)向薄膜生長...

  • 202010-26
    ITO靶材燒結(jié)工藝

    ITO(氧化銦錫)是制備ITO導(dǎo)電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導(dǎo)電薄膜,其性能是決定導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關(guān)鍵因素。ITO靶材性能的重要指標(biāo)是成分、相結(jié)構(gòu)和密度,ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2,氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10(質(zhì)量比),在ITO靶材的生產(chǎn)過程中必須嚴(yán)格控制化學(xué)氧含量及雜質(zhì)含量,以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯,對經(jīng)過低溫?zé)崦撝蜔Y(jié)后工藝處理得...

  • 202010-21
    ITO靶材應(yīng)用及發(fā)展前景

    氧化銦錫(ITO)晶體結(jié)構(gòu)氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導(dǎo)體,晶體結(jié)構(gòu)是In2O3結(jié)構(gòu),其中In2O3結(jié)構(gòu)具有兩種形態(tài),一種是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu),另一種是六方剛玉結(jié)構(gòu)。立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)是常見的In2O3結(jié)構(gòu),如圖1所示。當(dāng)將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時,一種高度簡并的n型半導(dǎo)體得以產(chǎn)生,其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了,導(dǎo)致ITO晶格中出現(xiàn)大量點缺陷,同時產(chǎn)生大量自由電子,點缺陷和自由電子可充當(dāng)電場下的載流子,因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導(dǎo)電...

  • 202010-20
    分析真空燒結(jié)爐的故障現(xiàn)象、故障原因和處理辦法

    真空燒結(jié)爐是一款特別適合硬質(zhì)合金行業(yè)的性能智能化電爐。該燒結(jié)爐是一種間歇式氣體(真空)保護(hù)爐,按照燒結(jié)工藝時間的需要可以單套電源配置多臺電爐,分別對單個爐子進(jìn)行通電升溫和段電降溫,實現(xiàn)連續(xù)工作。那么該設(shè)備在日常中應(yīng)該如何檢修?出現(xiàn)故障后又應(yīng)該如何進(jìn)行有效的處理?下面請跟隨皓越一起來學(xué)習(xí)吧!真空燒結(jié)爐的日常檢修:1、對有氣鎮(zhèn)功能的其空泵,應(yīng)在每日開爐前檢查并根據(jù)需耍開啟30min,以排除泵油中的水分。2、經(jīng)常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統(tǒng)的壓力以及冷卻水的流動情況。3、對爐門的...

  • 202010-12
    AZO靶材 熱壓制備工藝

    透明導(dǎo)電氧化物(TransparentConductiveOxide,TCO)是一種在可見光光譜范圍(380nm<λ<780nm)透過率很高且電阻率較低的薄膜材料,由于其良好的光電性能在節(jié)能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域,被作為智能窗口材料、加熱導(dǎo)體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導(dǎo)電電極等而得到廣泛的應(yīng)用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應(yīng)的復(fù)合多元化合物半導(dǎo)體材料。電子工業(yè)的飛速發(fā)展對透明導(dǎo)電...

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